最新Micro LED研发成果 可将Micro LED开发速度提高6倍、全彩垂直

  2月2日，Tetos 表示，开发出了大幅改善生产速度的Micro LED显示屏用侧面布线设备。该设备是在玻璃基板两侧连接的过程中在基板侧面形成电路。

  Micro LED显示屏是使用微米级超小型发光二极管（LED）作为像素的面板。成千上万个LED用于制作一个电视面板。为此，为了有效制造，制作Micro LED模块，像贴瓷砖一样，接着完成大型Micro LED显示屏。

  因此，在Micro LED显示屏制造中，重要的工作是“模块间连接”，为了让各模块上下左右连接并收发信号，TETOS设备将实现侧面布线。

  Micro LED显示屏采用印刷电路板（PCB）方式和玻璃基板方式制作。玻璃基板的优点是看不到基板缝隙。

  Tetos在2020年开发出了立体冲刺设备，建立经过离子束表面处理的玻璃基板，种子层、导电层、保护层三层在真空室中沉积，只需营造一次真空环境，等离子基础设备每涂上一层金属，经过3次沉积，共要制造9次真空状态。

  Tetos在此基础上增加了完全自动化。立体冲床整个工序实现了自动化，现有设备经过安装基板固定装置等前处理后，在真空室中投入了玻璃基板。相反，新设备的前处理工序也在真空环境中自动完成，立即进入腔体。为了投入基板，省略了消除真空的过程，生产速度加快了6倍。

  Tetos表示，将于9月向BOE供应新设备，每台价格为30亿韩元（1650万韩元）。据悉，BOE计划利用Tetos设备制造用于智能手表和虚拟现实（VR）设备的Micro LED显示屏。

  Tetos计划以BOE出口为契机，加快进军海外市场的速度。因为Micro LED开始以高端电视为中心商用化，出现了扩大到可穿戴设备的趋势。

  Tetos代表安佑荣表示：“如果Micro LED市场扩大，将需要1000台以上的推杆设备，将以技术力量为基础，加快攻占海外市场的步伐。”

  麻省理工研究团队开发出基于石墨烯的世界上最小（4um）的Micro LED阵列，PPI最高达5100...

  麻省理工学院的研究人员与美国及韩国其他大学的研究人员合作，使用石墨烯(和hBN)开发了全彩垂直堆叠的Micro LED，实现了迄今为止报道的最高阵列像素密度(5100 PPI)和最小尺寸(4um)。

  研究人员开发了一种基于2D材料的层转移(2DLT)技术，包括在2D材料涂层衬底上生长LED，转移LED，然后堆叠它们。对于红色LED，研究人员使用了石墨烯，涂在GaAs晶圆上，而对于绿色和蓝色LED，他们在蓝宝石晶圆上使用了hBN。石墨烯红色LED采用远程外延转移，hBN蓝色和绿色LED采用范德华外延转移。

  麻省理工学院的项目发明了一种将红、绿、蓝发光二极管堆叠成垂直像素的方法，而不是将它们并排放置在水平网格中。根据项目团队的说法，每个堆叠的像素都可以生成完整的可商用颜色范围。垂直堆叠的像素对于创造沉浸式视觉体验特别有价值，能轻松实现以假乱真让用户“无法区分虚拟与现实”。

  麻省理工学院的研究人员Jeehwan Kim表示：“这是期刊上报道的最小的微型LED像素和最高的像素密度。”“我们的研究表明，垂直像素化（pixelation）是在更小面积上实现更高分辨率显示器的方法。”

  另一位Jiho Shin则表示：“在传统显示器中，每个R、G和B像素都是横向排列的，这限制了每个像素的大小。”“因为我们将三个像素垂直堆叠，理论上我们大家可以将像素面积减少三分之一。”

  该项目的制造技术建立在麻省理工学院之前的研究基础上，该研究旨在从硅晶片和其他表面上生长和剥离完美的二维单晶材料，这种方法被称为基于二维材料的层转移（2DLT）。

  研究人员用同样的方法培育出红色、绿色和蓝色LED的超薄薄膜。然后，他们将整个LED薄膜从基片上剥离，并将它们堆叠在一起，制成红色、绿色和蓝色薄膜的层饼。然后将其雕刻成微小的垂直像素图案，每个像素只有4微米宽。

  该团队在其发表的论文中指出：“最近垂直微型LED显示屏的演示试图通过堆叠独立的RGB LED膜和自上而下的制造来解决像素密度问题，但最小化堆叠微型LED的横向尺寸一直很困难。”“据我们所知，我们报道的全彩垂直堆叠微型LED实现了迄今为止报道的最高阵列密度（每英寸5100像素）和最小尺寸（4微米）。”

  在试验中，该项目制作了垂直的LED像素，并表明通过改变施加在红色、绿色和蓝色膜上的电压，一个像素就可以产生各种不同的颜色光。例如，大电流流经红色、小电流经过蓝色，最终产生粉红色的输出颜色。麻省理工学院表示，这项技术几乎能以这种方式覆盖整个商业色彩范围。

  在展示了全光谱的可能性之后，该项目现在打算研究由几个垂直微型LED像素组成的阵列。根据麻省理工学院的说法，一个完整的操作系统在大多数情况下要单独控制2500万个LED，因此有源矩阵操作将要进一步的开发。

  “目前，我们已证明了我们大家可以生长、剥离和堆叠超薄LED，”Jeehwan Kim评论称，“这是智能手表和虚拟现实设备等小型显示器的终极解决方案。在这些设备上，你需要高度密集的像素来制作生动、生动的图像。”

  第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA ）将于2023年2月7-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。在这场被视为“全球第三代半导体行业风向标”的盛会上，由2014年诺贝尔物理奖获得者、日本工程院院士、美国工程院院士、中国工程院外籍院士、日本名古屋大学未来材料与系统研究所教授天野浩，美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士、美国弗吉尼亚理工大学的大学特聘教授Fred LEE领衔200多个报告嘉宾，紧扣论坛“低碳智联·同芯共赢”大会主题，将在开幕大会、主题分会及同期共计近30余场次活动中，全方面展现第三代半导体产业链前沿技术进展及产业高质量发展“风向。

  国际第三代半导体论坛（IFWS）是由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）在中国地区举办的、具备较强影响力的第三代半导体领域年度盛会，是引领全球第三代半导体新兴起的产业发展，促进相关产业、技术、人才、资金、政策合力发展的全球性、全产业链合作的高端平台和高层次综合性论坛。论坛以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，成为全球范围内的全产业链合作交流的重要平台，引领第三代半导体产业高质量发展方向。

  中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）伴着中国半导体照明产业的发展一路成长起来，已成为半导体照明领域最具规模，参与度最高、口碑最好的全球性高层次论坛。十几年的时间里，论坛尽最大力量打造国际性舞台，邀请全球顶级专家，传递最前沿的产业、技术发展信息。

  至今，SSLCHINA已连续举办了十八届，IFWS也同期连续举办了七届，全球超过1900位专家学者、企业领袖、投资人等莅临现场发布了精彩演讲，参会观众覆盖了70多个国家和地区，累计2.9万余人到现场参会，集齐跨地区、跨领域的智慧合力，共同召唤产业高质量发展新生态。无论是行业有突出贡献的公司、初创团队或是行业服务机构，论坛都是十分精准的品牌展示、产品推广、技术交流、成果发布及寻求合作的优质平台和窗口。十几年来，论坛服务过的客户遍及全球，涵盖了大部分国内外知名的半导体材料、装备、器件及应用端企业，数量近千家，服务次数超过1200次。通过论坛期间的交流与对接，很多企业结识了潜在的合作伙伴，为自身发展把握住了机会。